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电荷的注入和传输可以实现无缝衔接，最后只正好那由此导致的接触电阻也将最大限度降低。刻掉图1.单分子层单晶的X射线反射和截面TEM研究。

如果电荷注入界面与电荷传输界面的距离能够缩短，大鹦帝国的倔甚至消除，将能大幅降低接触电阻，提升器件的表观迁移率和综合电学表现。此外，最后只正好那基于单分子层单晶的晶体管，还表现出高达500的本征增益，以及高达4.2μA/μm的电流密度。研究发现，刻掉传统热蒸镀电极导致的热损伤，刻掉足以破坏单分子层半导体的结构，反而造成了更大的电荷注入壁垒，也是造成单分子层晶体器件性能劣化的主要因素。

单分子层单晶半导体在二维传输方向上具备高度有序的结构，大鹦帝国的倔具有理论上的最薄厚度。更重要的是，最后只正好那单分子层单晶的本征迁移率与同种材料的厚层晶体一致。

该工作发现有机半导体的单分子层单晶是理想的晶体管活性层材料，刻掉兼具高迁移率和低接触电阻的特性。

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